光刻工艺是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出符合要求的图形，以实现制作各种电路元件，形成金属电极和布线或表面钝化的目的。光刻是加工制造集成电路结构以及微结构的关键工艺之一，是MEMS制造工艺中不可缺少的步骤。
光刻三要素：光刻胶，掩膜版和光刻机。光刻胶室友光敏化合物，树脂等组成的胶状液体。光刻胶受到特定波长的光线作用后，发生化学变化，是光刻胶在特定溶液中溶解特性改变。光刻胶分为正胶和负胶。
正胶特点：
PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）光刻胶；
由重氮醌酯DQ和酚醛树脂N两部分组成的DNQ;
分辨率高，在超大规模集成电路中，一般采用正胶。
负胶特点：
两种组成部分的芳基氮化物橡胶光刻胶；
分辨率差，适于加工现款≥3μm的线条；粘附力强，耐腐蚀，容易使用，价格便宜，是常用的光刻胶。
正胶：曝光后可溶负胶：曝光后不可溶
光刻胶的性能指标
1.分辨率：分辨率是指用某种光刻胶光刻时所能得到的小尺寸
2.灵敏度：光刻胶的感光灵敏度反映了光刻胶感光所必须的照射量
3.粘附性：光刻胶与衬底之间粘附的牢固程度
4.稳定性：要求光刻胶在室温和避光情况下加入了增感剂也不发生暗反应，在烘干燥时不发生热交联。
5.留膜率：指曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光前胶膜厚度之比
此外，还要求光刻胶膜要有一定的抗腐蚀性。
几种常见的光刻方法
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25μm)，可以大大减少掩膜版的损伤，分辨率低
接触式光刻：分辨率较高，容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上
随着技术的发展，光刻工艺不断进步，出现了电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻和微粒体光刻成型技术。
