推广 热搜: MDI  高压发泡机,发泡机  水性  巴斯夫,聚氨酯  聚氨酯  环氧乙烷,聚氨酯  聚氨酯材料  聚氨酯发泡机,发泡机  石油化工,聚氨酯  水性聚氨酯,聚氨酯 

帝斯曼发泡材料让“健步如飞”成为可能

   2018-04-08 1140
核心提示:活跃于健康、营养和材料领域活跃于健康、营养和材料领域的全球科学公司荷兰皇家帝斯曼集团,为了帮助跑鞋厂商满足消费者对跑鞋性
活跃于健康、营养和材料领域活跃于健康、营养和材料领域的全球科学公司荷兰皇家帝斯曼集团,为了帮助跑鞋厂商满足消费者对跑鞋性能越来越高的要求,开发出全新的Arnitel  Foaming TPEE发泡材料,兼顾了柔软、回弹、轻质和耐久四大特性,极大提升了跑步者的运动体验。

  对于跑步爱好者而言,跑鞋的柔软、缓震、回弹、轻质和耐久都至关重要,缺一不可;而对于跑鞋制造商而言,将这五大特性汇集在一双跑鞋上,却并非易事。跑鞋的性能在很大程度上取决于中底的设计和材料选择。中底是跑鞋的灵魂,也是区别各大厂商的核心标志,立身之本。然而,困扰跑鞋制造商们的问题之一,就是无法兼顾鞋子回弹力和柔软度:如果追求跑鞋柔软度,回弹力则会下降;而想要强劲又韧性十足的回弹力,势必要牺牲一定的柔软脚感和缓震性能。因此,寻找合适的中底材料,便成为跑鞋制造商们一直想要攻克的难题。

  作为领先的创新材料解决方案供应商,帝斯曼依托研发团队的专业经验,并通过长期与跑鞋厂商的紧密合作,成功开发出适合应用于跑鞋中底的Arnitel? 热塑性聚酯弹性体发泡材料(Expanded Thermoplastic Polyester Elastomer, E-TPEE)发泡材料。经测试,采用E-TPEE发泡材料中底的跑鞋,兼顾了柔软、缓震、回弹、轻质和耐久等五大特性,将极大提升跑步者的运动体验。

  与常见的中底材料EVA相比,Arnitel? 热塑性聚酯弹性体发泡材料(Expanded Thermoplastic Polyes-ter Elastomer, E-TPEE)兼具优异的缓震性能与回弹性,有别于EVA,在穿着一段时间后脚感就会变差。Arnitel? E-TPEE经过40,000次的压力测试,耐疲劳性优异,用其制成的中底经反复踩踏后,仍可长久保持柔软、缓震性能与回弹性。

  帝斯曼全球Arnitel业务总监张璐介绍说:”与PU或EVA化学发泡中底相比,由于传统发泡过程中需要使用化学发泡剂,该发泡剂降解副产物会残留在发泡材料中,将对人体和环境产生危害。另外,PU和EVA发泡中底采用架桥剂,属热固性材料,所以无法回收利用;而帝斯曼的Arnitel?E-TPEE是全球采用二氧化碳物理发泡工艺的聚酯弹性体,零有害化学物质残留,符合服装和鞋类供应链危险化学品零排放(Zero Dischage of Hazardous Chemicals, ZDHC)规范;同时,基于Arnitel? 为热塑性弹性体,可以实现闭环回收(Closed Loop Recycling, CLR) 再利用,其环保性能无可挑剔,成为行业环保的楷模和倡导者。”与E-TPU(发泡热塑性聚氨酯)材料相比,Arnitel? E-TPEE则具有更佳的回弹性,可达到75-79%,比E-TPU的回弹性高 10-15%,从而使跑步者感觉跑起来更加省力。

  此外,对于全球跑鞋制造商来说,能否在长时间的海运过程中在温度相差极大的货柜里保持产品的优异性能,也十分关键。Arnitel? E-TPEE发泡材料具备卓越的耐温性能,可适用于高至 70°C 的温度范围,尤其在经历长久高温后,微泡孔结构稳定,从而不会像普通发泡材料那样在高温后产生永久回缩,展现出极佳的尺寸稳定性。此外,其优异的低温性能(低至-40°C),可避免跑鞋中底在极端气候中硬化甚至脆裂,并赋予跑鞋在低温下保有优异且恒定的脚感及性能。

  Arnitel?E-TPEE全面、卓越而稳定的性能,使其不仅成为跑鞋中底材料的理想选择,同时也可用于制造高品质的运动地垫、汽车内饰和汽车座椅等,为人们创造美好生活。

  Arnitel?产品家族是兼具韧性、耐高温性和强度的独特高性能热塑性聚酯弹性体 (TPEE),并且还具备优越的加工特性,使其成为众多应用的理想之选,包括汽车行业、休闲消费类产品以及电子电气产品等。

 
标签: 聚氨酯









反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
 
更多>同类资讯
推荐图文
推荐资讯
点击排行

网站首页  |  关于我们  |  联系我们  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  苏ICP备17052573号-1
Processed in 0.125 second(s), 13 queries, Memory 0.76 M