推广 热搜: MDI  高压发泡机,发泡机  水性  巴斯夫,聚氨酯  聚氨酯  环氧乙烷,聚氨酯  聚氨酯材料  聚氨酯发泡机,发泡机  石油化工,聚氨酯  水性聚氨酯,聚氨酯 

Tolsa将在K展上展示用于聚酰胺的阻燃增效剂

   2022-08-15 680

本站讯:Tolsa是一家为各种市场提供专业添加剂的供应商,将在即将举行的K展上展示其用于PP、PVC、橡胶聚合物材料组合和有机硅的ADINS系列阻燃(FR)材料,以及用于杀菌剂应用的ADINS Protection系列。ADINS技术是基于一种有机改性的、高纯度的、超细的、天然存在的针状硅酸盐粘土。

Tolsa工业业务部的市场经理Almudena Vidal表示:“我们独特的阻燃技术不断扩大,我们看到ADINS阻燃增效剂在需要最高阻燃标准的各种系统中持续增长。我们的材料在市场上广受好评,它们具有高度的通用性,可以进行微调以满足配方设计师和最终用户的高性能需求。”

适用于聚酰胺材料的技术

在最近的一项开发中,Tolsa将其独特的ADINS阻燃技术用于聚酰胺(PA)材料,应用于电气/电子(E&E)、汽车、纺织和运输市场。该公司正在为这些材料组合开发新产品。

在过去的两年里,Tolsa使用一系列的ADINS产品完成了对酰胺(PA)基材的广泛测试。与竞争对手的添加剂解决方案相比,该公司已成功地将总热释放水平降低了20%以上。

ADINS阻燃技术为聚合物提供了一系列多功能的添加剂,可作为卤素和无卤素阻燃材料的阻燃增效剂。它们是三氧化二锑(ATO)的替代品,三氧化二锑是最广泛使用的阻燃剂之一,但由于毒性和致癌性问题,其安全性正在接受监管部门的研究。此外, ATO价格的变化和供应问题在终端用户中产生了额外的担忧。在一些应用中,如电气电子行业,它的使用是不可避免的,尽管增加的负载会产生加工性和性能问题。因此,需要像ADINS这样更安全的阻燃增效剂,以减少ATO的用量而不损害性能和加工性。

ADINS有助于减少配方中的ATO含量(例如在PVC或PP基体中),最高可达50%,或在与ATH或MDH等阻燃剂材料结合时完全消除ATO。ADINS阻燃增效剂还能大幅减少滴落,从而使不同的材料组合(如聚酰胺和聚酯)达到V-0等级。

电线和电缆领域的需求不断增长

在德国杜塞尔多夫K展上,Tolsa还将强调电线和电缆市场,在法规日益严格的环境下,ADINS阻燃产品正在满足对阻燃增效剂日益增长的需求。

ADINS技术允许开发定制等级,保证符合客户和行业的具体要求。ADINS大大改善了塑料部件在火灾条件下的表现,使其符合最严格的国际健康和安全法规,如欧洲建筑产品法规(CPR)或铁路EN 45545法规。

ADINS阻燃增效剂能促进炭的形成并形成物理屏障,保护材料并减少热量和烟雾排放以及挥发性有机化合物(VOC)。ADINS所需的剂量很低,对于常用的配方来说,从1%到5%不等;但是,对性能的影响非常显著,甚至允许减少阻燃剂的剂量。

杀菌剂系列获准用作聚合物添加剂

Tolsa表示,它还将展示其ADINS Protection杀菌剂系列,该产品已被批准作为聚合物添加剂使用。

该公司为热塑性塑料应用提供三种不同等级的ADINS杀菌剂产品--两种是基于银的,一种是基于锌的。ADINS技术允许在粘土的表面加入不同的活性物质,获得均匀的分布。此外,该产品允许在基体中进行最佳的分散,这意味着在较低的剂量下就能获得高的抗菌活性。

由于其稳定性,ADINS Protection可以减少活性物质的用量,以获得相同的抗菌活性,从而提高其耐久性,降低配方成本,并将其对环境的影响降至最低。目标应用包括户外家具、建筑和医院产品,以及塑料和橡胶应用,如玩具。

在与Delta Tecnic的合作中,Tolsa完成了一项关于游泳池用PVC配方的抗菌活性研究。研究证实,含有ADINS防护添加剂的PVC对游泳池中最常见的两种细菌(大肠杆菌和金黄色葡萄球菌)具有生物杀灭作用。

根据欧洲标准14476,ADINS Protection对所有包膜病毒也有很强的活性,包括冠状病毒类型、诺瓦克病毒、轮状病毒和腺病毒。产品符合欧洲玩具安全指令(2009/48/EC)的要求。该公司有几个客户正处于获得监管部门批准使用ADINS Protection的玩具最终配方的最后过程。

 









反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
 
更多>同类资讯
推荐图文
推荐资讯
点击排行

网站首页  |  关于我们  |  联系我们  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  苏ICP备17052573号-1
Processed in 0.141 second(s), 14 queries, Memory 0.76 M