上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）作为全球领先的200mm纯晶圆代工厂，在上海拥有3条200mm生产线，月产能约17万片，工艺节点覆盖1.0微米至90纳米，200mm晶圆制造能力在中国名列前茅。其前身为久负盛名的上海华虹NEC和上海宏力半导体，作为“909”工程的载体，华虹宏力的发展可谓中国晶圆代工的一面旗帜。近日，华虹宏力执行副总裁范恒先生接受了《中国电子商情》记者的采访，他表示，“在嵌入式非易失性存储器、电源管理、功率器件、标准逻辑及射频（RF）、模拟和混合信号等领域，华虹宏力已形成颇具竞争力的先进工艺平台。现在，除了继续巩固上述领先的特色工艺，我们还有足够的能力在差异化需求中找到新的高成长市场，公司在物联网、汽车电子、绿色能源等应用领域重点突进，持续创造新的利润增长点。”
据范恒先生介绍，从现有营收情况看，以智能卡和微控制器（MCU）应用为主的嵌入式非易失性存储器工艺平台的销售额占比超过公司年营收的三分之一。为此，华虹宏力在保持智能卡市场竞争优势的同时，也在积极深入更多前景向好、适合公司未来发展的新兴市场。现在公司已经积极布局物联网引领的MCU市场，同时，功率半导体和高压器件也是华虹宏力主要的业务增长点。
稳固嵌入式存储器及功率器件技术优势
华虹宏力拥有业界领先的嵌入式非易失性存储器技术，包括SonOS Flash和SuperFlash技术，以及eFlash+高压和eFlash+射频两个衍生工艺平台。还可为客户提供高性能、高密度的标准单元库，并可根据客户需求定制高速度、低功耗、超低静态功耗的嵌入式闪存（Flash）IP、嵌入式电可擦可编程只读存储器（EEPROM）IP。华虹宏力是世界大智能卡IC代工厂，采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分别通过了EMVCo、CC EAL5+、万事达CQM认证等多项权威认证。随着90纳米eNVM工艺的成功量产，华虹宏力的智能卡产能正逐步导入到90纳米平台。
万物互联时代，MCU不断推陈出新，为顺应市场需求，华虹宏力专为物联网打造了0.11微米超低漏电（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工艺平台，将eNVM技术与CMOS射频集成及/或高压技术结合。响应市场对高性价比的呼唤，华虹宏力还推出了95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工艺平台，助力客户在庞大的MCU应用市场提高竞争力。此外，公司还在加速研发95纳米的低本高效MTP（Multiple-Time Programming）工艺平台。
在生产功率器件方面，华虹宏力拥有15年的历史，是业内拥有深沟槽超级结（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及场截止型IGBT（Field Stop，FS IGBT）工艺平台的200mm晶圆代工厂。高效能的功率半导体器件是降低功耗的关键，已引起了半导体产业的瞩目，华虹宏力的布局不可谓不充分。“我们致力于为客户提供更高端的功率器件技术解决方案，公司现已推出第三代DT-SJ工艺平台，每单元区域导通电阻（Rsp）为1.2ohm.mm2，技术参数达业界一流水平。”范恒先生说，“华虹宏力还是国内拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂，能为绿色能源应用提供从低功率到高功率的全系列解决方案。”目前，华虹宏力的功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。
深度拓展射频和电源管理IC市场
RF SOI是绝缘体上硅（SOI）技术的RF版本，该工艺利用了内置隔离衬底的高电阻率特性。RF SOI在应用上有几个比较明显的优势，一是它的设计周期短，且简单易用。主要的是它能做到较低功耗。现在，智能手机、WiFi等无线通信设备中的射频器件绝大多数都使用了RF SOI制造工艺。华虹宏力推出的0.2微米射频SOI工艺设计套件（PDK），非常利于工程师提高设计流程效率，从而快速获得优质的射频组件，缩短了产品上市时间。范恒先生表示：“接下来公司还将继续开发射频相关技术，如0.13微米射频SOI，以应对智能手机出货量的持续增长及未来5G移动通信的发展及应用。”
华虹宏力已引入全面电源管理IC解决方案，可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米，电压范围覆盖1.8V~700V，性能卓越、质量可靠，广泛用于PMIC、快速充电、手机/平板电脑PMU以及智能电表等领域。华虹宏力还是国内出货量大的LED驱动IC代工厂。目前，第二代BCD700V工艺平台也正处于战略准备阶段，将在原先基础上减少2层光罩 ，并优化DMOS性能，相信会更好地服务客户与电源管理IC市场。
华虹宏力是一个技术积淀深厚又有远大抱负的企业，不仅在现有的优势领域稳扎稳打，还将眼光投射到更长远的未来。凭借多年的技术积累，他们已经在竞争激烈的市场中敏锐地找寻到更适合自己的技术特点、更具前景的发展方向。重要的是，他们已将这一切付诸实施。
